國際交流動態
第三屆電子元器件輻射效應國際會議召開
2019年06月05日 17:49:00  來源:新疆理化技術研究所    字體大小[]

      5月30日至31日,第三屆電子元器件輻射效應國際會議在重慶召開。會議由中國科學院新疆理化技術研究所、模擬集成電路國家重點實驗室、哈爾濱工業大學共同主辦。

      會議設有電子元器件及材料輻射效應和損傷機理、光電器件和電路輻射效應、抗輻射加固方法和測試技術、空間系統新概念四個分會場,來自10個國家的180余位專家學者圍繞材料、器件、電路及電子系統的輻射效應、測試方法、加固技術和評估方法進行了交流和討論。

      會議對促進電子元器件輻射效應領域專家學者的交流和國際合作有積極作用。

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